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| 品牌 | Rigaku/理学 | 行业专用类型 | 通用 |
|---|---|---|---|
| 价格区间 | 面议 | 仪器种类 | 台式/落地式 |
| 应用领域 | 综合 |
理学全反射X射线荧光光谱仪 TXRF 3760是一款面向半导体材料及器件制造领域的晶圆表面污染分析设备，主要用于硅晶圆、碳化硅晶圆、GaN、GaAs、蓝宝石晶圆、外延晶圆、玻璃晶圆、镀膜晶圆以及VPD处理样品的痕量元素和金属污染检测。仪器能够为晶圆清洗、光刻、刻蚀、灰化、薄膜沉积等制造环节提供洁净度评价和工艺监控数据。
仪器采用高功率旋转阳极钨靶X射线源，并结合Rigaku单靶三晶体自动切换机构。通过软件自动切换晶体和激发光束，可以覆盖从轻元素到重元素的分析需求，元素分析范围可达Na至U。该系统无需为不同元素配置多套X射线源，有助于提高检测效率和分析一致性。
设备配备无液氮SDD硅漂移探测器，具有较高能量分辨率和计数率，无需使用液氮进行日常冷却，能够降低操作难度和维护工作量。新型XYθ样品台可以调节晶圆与入射X射线之间的相对位置和角度，减少硅衬底衍射峰造成的干扰，提高痕量污染元素分析的可靠性。
TXRF 3760支持Sweeping-TXRF高速全片扫描功能，可对晶圆表面污染进行快速映射。根据彩页给出的典型条件，对200 mm晶圆进行5秒/点测量时，可在约15分钟内完成5×10¹⁰ atoms/cm²水平的污染分布分析。ZEE-TXRF零边缘排除功能能够对晶圆边缘区域进行高灵敏度、无损检测，帮助发现延伸至晶圆边缘的金属污染。
仪器还支持离线VPD液滴分析和液滴搜索功能，可提高VPD样品重复测量时的定位精度。PI-Link功能可以导入不同品牌表面缺陷检测设备的数据，并针对颗粒或划痕所在位置进行元素分析，为普通表面缺陷检测无法提供的颗粒成分信息提供补充。
真空机械手晶圆传送系统采用独立晶圆盒腔体和真空传送结构，减少逐片抽真空造成的等待时间，并支持紧急晶圆插单测量。晶圆搜索功能可以识别晶圆盒中实际放置晶圆的槽位，减少无效机械动作。系统最多可以预设50组测量条件，并允许在测量过程中建立新的分析程序。
理学全反射X射线荧光光谱仪 TXRF 3760占地尺寸约为1000×948 mm，占地面积不足1平方米，适合半导体洁净室安装。设备适用于晶圆来料检查、生产线污染监控、工艺异常排查、材料与器件研发，以及SiC功率器件、化合物半导体、MEMS和有机电致发光材料等领域。
电源：三相AC 200 V，50/60 Hz，100 A
接地：专用接地，接地电阻不大于30 Ω
X射线源冷却水：25 L/min，0.2-0.5 MPa，18-25℃
高纯氮气：20 L/min，0.03-0.05 MPa，低于30℃
压缩空气：20 L/min，0.5-0.6 MPa，低于30℃
环境温度：18-27℃
环境湿度：低于75%RH
排气：需要压缩空气排气和干泵排气
在线通信：SECS/GEM，可选
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