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| 品牌 | Rigaku/理学 | 行业专用类型 | 通用 |
|---|---|---|---|
| 价格区间 | 面议 | 仪器种类 | 台式/落地式 |
| 应用领域 | 综合 |
理学薄膜X射线荧光光谱仪 WAFER/DISK ANALYZER 3650是一套面向晶圆、磁盘及半导体薄膜检测的X射线荧光分析系统，可对金属薄膜、介质薄膜、多层膜及掺杂材料进行膜厚、薄膜成分和元素浓度分析。设备适用于半导体制造过程控制、薄膜工艺研发、晶圆质量检测及电子材料分析等应用。
该系统能够同时分析最多20种元素，并支持薄膜厚度与元素浓度的同步测量。固定分析元素范围覆盖Be至U，重元素扫描范围覆盖Ti至U。系统通过高分辨率波长色散光学结构，能够有效分离位置相近的元素谱线，特别适用于硅基板上铝元素测量、铁电薄膜分析以及容易受到谱线重叠影响的样品。
理学薄膜X射线荧光光谱仪 配备AutoCal自动校准功能，可按照指定日期和时间自动完成日常检查、结果判断及强度校准。系统内置日常控制样品盒，可存放用户的标准晶圆。结合自动传送机械臂和主机通信功能，可建立自动化日常质量控制流程，减少人工装卸、数据判断和校准操作，提高检测效率及结果一致性。
设备提供5、10、15、20和40 mm五种测量孔径，可以根据晶圆尺寸、测量区域和分析目的选择合适的照射范围。不同孔径配置有利于兼顾局部区域分析、较大区域平均分析及不同尺寸样品的检测需求。
系统可选配新型AD-Boron高灵敏度硼探测器。与上一代3640采用的RX70分析晶体相比，其硼元素检测灵敏度最高可提升约5倍，同时能够改善分析精密度。该配置适用于BPSG薄膜、硼掺杂材料及其他低浓度硼元素样品的检测。
设备配置XYθ样品台，可进行径向和角度方向的位置设定及平面分布测量。r方向设定步距为1 mm，θ方向设定步距为1°。通过专用驱动机构和衍射影响规避功能，可降低硅晶圆衍射峰对金属薄膜分析产生的干扰，提高面内膜厚和成分分布结果的可靠性。
系统支持采用基本参数法对多层金属膜进行分析，最多可处理20层、40种组分。典型应用包括Au/Ni/Ti/Al等多层金属膜厚度分析、SnAg焊料凸点成分检测、P掺杂多晶硅分析以及铁电薄膜检测。
在铁电薄膜应用中，可同时分析PZT薄膜厚度及PbO、ZrO₂、TiO₂等组分，并以晶圆分布图形式显示测量结果。对于BPSG薄膜，系统能够分析B、P、Si等相关信息，可为背景校正和工艺控制提供数据支持。
配套软件支持膜厚和浓度同时分析、测量配方管理、分析结果保存及晶圆分布图显示。系统可保存大量分析结果，并支持最长约80个字符的配方名称，便于建立不同产品和工艺的检测程序。
设备可选配Mapping软件和在线分析程序，并支持GEM及SECS/GEM通信，可根据生产线要求与自动化设备和上位系统连接。系统符合SEMI S2-0310安全标准，可选CE认证，并可根据项目需求配置SMIF或Through-the-wall安装形式。
3650采用紧凑化和低运行成本设计，子单元经过小型化和节能优化，与上一代3640相比功耗约降低23%。系统采用无油变压器，并配置温度稳定及自动真空控制功能，有助于降低维护负担并保持长期运行稳定性。
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