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实验室X射线探伤设备的安全防护设计与辐射管理规范
实验室X射线探伤设备是材料缺陷检测、样品质量核查的重要精密设备,其利用X射线穿透性实现材料内部缺陷的可视化检测,但X射线属于电离辐射,过量照射会损害人体造血、生殖等系统,危及实验人员健康。为规范设备安全使用、防范辐射风险,依据《放射性同位素与射线装置安全和防护条例》《放射性同位素与射线装置安全和防护管理办法》等相关标准,结合实验室实操特点,构建科学的安全防护设计体系与严格的辐射管理规范,是保障设备安全运行、实验人员健康及环境安全的核心,以下详细阐述,全文无表格,兼顾专业性与可...
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【02材料表征核心技术】之SPM电学:C-AFM/KPFM/SCM详解
副标题:基于多功能集成平台的纳米尺度电学综合表征方案发布信息发布日期:2025年08月20日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约15分钟关键词:SPM电学、C-AFM、KPFM、SCM、纳米电学成像、多功能表征、表面电势、掺杂分析、拉曼光谱、智能成像摘要在半导体工艺、纳米电子器件及新能源材料研发中,纳米尺度下的电学性质表征对于理解材料性能与器件工作机制至关重要。本文系统阐述了基于智能拉曼光谱成像平台的SPM电学综合表征技术,通过集成导电原子力显微镜(C-A...
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【02材料表征核心技术】之拉曼光谱:纳米应力非接触测量方案
副标题:基于DXR3显微拉曼光谱仪的微区应力精准表征与解决方案发布信息发布日期:2025年08月05日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约12分钟关键词:拉曼光谱、显微拉曼、纳米应力、非接触测量、DXR3、微区分析、应力Mapping、森德仪器摘要在微电子器件、材料及微纳系统等领域,纳米尺度的局部应力分布直接决定了材料的电学、光学和力学性能。传统的应力测试方法难以实现微米/纳米级的非破坏性、可视化测量。本文系统阐述了基于拉曼光谱技术的纳米应力非接触测量原理...
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【02材料表征核心技术】之XRD技术:应变缺陷综合表征系统
副标题:从Aeris快速筛查到多维度表征的一体化解决方案发布信息发布日期:2025年08月01日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约8分钟关键词:X射线衍射、XRD、应变分析、缺陷表征、Aeris紧凑型XRD、高通量筛查、森德仪器摘要材料内部残余应力与微观缺陷是决定其服役性能与可靠性的关键因素。构建高效的应变缺陷综合表征系统,需要匹配不同精度与效率需求的解决方案。本文提出一种分级工作流:首先,利用Aeris紧凑型XRD进行快速、高通量的初步筛查与趋势分析,...
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【02材料表征核心技术】之GD-MS技术:ppt级杂质精准检测方法
副标题:构建高纯材料分析实验室的关键要素解析发布信息发布日期:2025年07月25日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约15分钟关键词:GD-MS、辉光放电质谱、ppt级检测、高纯材料、杂质分析、实验室基础设施、森德仪器摘要实现材料中ppt(万亿分之一)级别杂质的精准检测,是半导体、核工业、航空航天等前沿领域材料研发与质量控制的核心挑战。辉光放电质谱(GD-MS)技术因其对固体样品的直接分析能力和灵敏度,成为解决这一难题的黄金标准。然而,要确保GD-MS分...
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【02材料表征核心技术】之晶圆污染物:从颗粒到分子级检测技术
副标题:结合Nicolet™iS20FTIR光谱仪实现污染物分子级溯源与过程控制闭环发布信息发布日期:2025年07月20日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约12分钟关键词:晶圆污染物、分子级检测、FTIR光谱仪、失效分析、过程监控、化学指纹图谱、光谱数据库、森德仪器、半导体质量控制摘要随着半导体制造工艺向5纳米及以下节点推进,晶圆表面污染物检测已从单纯的颗粒计数发展为集物理、化学分析于一体的系统性表征技术。本文系统阐述了晶圆污染物检测技术从...
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【04缺陷检测与失效分析】之X射线检测:2D/3D封装分析系统
基于蔡司Xradia515Versa的高分辨率三维无损检测技术解析发布信息发布日期:2023年11月15日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器阅读时间:约8分钟关键词:X射线检测、缺陷检测、失效分析、2D封装、3D封装、X射线显微镜、亚微米成像、无损检测、蔡司Xradia、森德仪器、实验室设备摘要本文深入解析基于蔡司Xradia515VersaX射线显微镜构建的2D/3D封装分析系统在缺陷检测与失效分析中的应用。该系统采用的大工作距离高分辨率(RaaD)成像技术,在保...
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【04缺陷检测与失效分析】之热光发射显微:热点漏电定位解决方案
副标题:ThermoScientific™ELITE系统在半导体失效分析中的高精度热成像应用发布信息发布日期:2025年7月31日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器、检测设备阅读时间:约8分钟关键词:锁相红外热成像、LIT、热光发射显微、热点定位、漏电分析、失效分析、半导体测试、森德仪器、ELITE系统摘要随着半导体工艺节点不断微缩、三维集成技术快速发展,器件内部的缺陷检测和失效分析面临的挑战。局部漏电、微短路等缺陷通常伴随着微弱的热信号,如何在复杂的封...
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【04缺陷检测与失效分析】之FIB关键应用:电路修复与样品制备技术
副标题:聚焦离子束技术的双重角色:从纳尺度精确修复到高质量分析样品制备发布日期:2023年11月7日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器/显微加工设备阅读时间:约12分钟关键词:聚焦离子束、电路修复、样品制备、TEM制样、FIB-SEM、微纳加工、失效分析、森德仪器摘要聚焦离子束技术作为现代微纳加工与分析的革命性工具,在缺陷检测与失效分析领域扮演着两大关键角色:一是高精度的纳尺度电路修复,二是用于分析的高质量样品制备。本文深入探讨了FIB在这两个核心应用中的技术原理、...
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【04缺陷检测与失效分析】之失效分析流程:现象到根因系统方法
副标题:构建从宏观现象到微观机理的完整分析链条与仪器解决方案发布日期:2026年1月30日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器/检测设备阅读时间:约15分钟关键词:失效分析、根因分析、检测流程、仪器配置、缺陷定位、森德仪器摘要失效分析是保障产品质量、提升工艺水平、推动技术创新的核心工程技术。本文系统阐述了一套从失效现象出发,逐步深入直至发现根本原因的科学分析流程与方法。文章构建了一个从宏观现象观察、非破坏性定位、样品制备处理到微观结构/成分/物性分析的完整技术链条,并...
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【04缺陷检测与失效分析】之电子束检测:高分辨率EBR技术原理与应
副标题:基于蔡司GeminiSEM360场发射扫描电镜的高分辨率缺陷成像与分析技术深度解析发布日期:2026年1月30日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器/显微成像设备阅读时间:约10分钟关键词:电子束检测、高分辨率成像、场发射扫描电镜、缺陷检测、失效分析、GeminiSEM、亚纳米分辨率、森德仪器摘要随着半导体制造、材料与纳米技术领域对缺陷检测精度要求的不断提升,高分辨率电子束检测技术已成为核心分析手段。本文聚焦于高分辨率电子束检测(EBR)的技术原理与前沿应用,...
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【04缺陷检测与失效分析】之激光扫描显微:亚表面缺陷无损定位技术
副标题:基于SOPTOPCLSM610激光共聚焦系统的亚表面无损检测方案与实践发布日期:2026年1月30日作者:森德仪器/应用技术部仪器类别:分析仪器/显微成像设备阅读时间:约12分钟关键词:亚表面缺陷检测、激光共聚焦显微镜、无损定位、三维重建、CLSM610、材料科学、失效分析、森德仪器摘要亚表面缺陷的无损定位是现代材料失效分析与质量控制的关键技术挑战。本文系统介绍了激光扫描共聚焦显微技术在亚表面缺陷检测中的应用原理与技术优势,重点结合SOPTOPCLSM610激光共聚焦...
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