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【04缺陷检测与失效分析】之FIB关键应用:电路修复与样品制备技术

更新时间:2026-02-02

浏览次数:25

副标题:聚焦离子束技术的双重角色:从纳尺度精确修复到高质量分析样品制备


发布日期: 2023年11月7日
作者: 森德仪器/应用技术部
仪器类别: 分析仪器/显微加工设备
阅读时间: 约12分钟
关键词: 聚焦离子束、电路修复、样品制备、TEM制样、FIB-SEM、微纳加工、失效分析、森德仪器


摘要

聚焦离子束技术作为现代微纳加工与分析的革命性工具,在缺陷检测与失效分析领域扮演着两大关键角色:一是高精度的纳尺度电路修复,二是用于分析的高质量样品制备。本文深入探讨了FIB在这两个核心应用中的技术原理、关键设备配置及操作流程。通过聚焦的离子束对材料进行精确剥离与选择性沉积,FIB能够修复集成电路中的开路、短路等缺陷,或制备出适用于透射电镜等分析手段的超薄切片。文章强调,一个集成了高分辨率扫描电镜(如蔡司GeminiSEM系列)的FIB-SEM双束系统是实现精准操作与实时监控的基础。我们将结合具体案例,解析如何利用FIB技术实现从发现问题(缺陷定位)到解决问题(电路修复)或深入分析(样品制备)的闭环,为半导体制造、材料研发及失效分析实验室提供高效、可靠的技术解决方案。197b8a58887de21ec888224821f0b50d.png


应用场景与案例分析

主要应用领域

  1. 集成电路(IC)与封装的电路修复

    • 超高精度定位与导航: 需在微米乃至纳米尺度上,准确找到需要修复的特定电路单元。

    • 选择性材料去除与沉积: 需能精确“切割"(铣削)掉短路的部分,或在开路处“焊接"(沉积)上新的导电材料(如铂、钨)。

    • 实时、高分辨率监控: 修复过程需要高分辨率成像进行实时监控,以确保操作的准确性并避免损伤周边结构。

    • 电学性能验证: 修复后需能原位或简易地进行电学连通性测试。

    • 应用场景: 在芯片设计验证、试生产或产品失效分析中,常遇到金属互连线开路、相邻线间短路、通孔失效或特定节点需要重新连接(布线修改)等问题。物理性的修复是验证设计、挽救珍贵样品或进行根本原因分析的最后手段。

    • 技术要求:

    • 森德仪器适配性: 一套完整的电路修复方案依赖于FIB-SEM双束系统。其中,FIB离子柱负责纳米级的铣削与沉积,而与其联用的高分辨率场发射扫描电镜(如蔡司GeminiSEM 360)则提供了实时导航与监控能力。GeminiSEM的亚纳米分辨率优异的低电压成像性能,可以在不损伤敏感电路的前提下,清晰呈现修复区域的形貌。其样品仓灵活性智能导航软件(如ZEN Connect) 便于导入设计图纸并进行坐标关联,实现精准定位。此外,系统通常需集成多通道气体注入系统用于不同材料的沉积,并可选配纳米探针台进行原位电学测试。

  2. 透射电子显微镜样品制备

    • 定点、定位能力: 能够从块体样品中,精准提取包含目标特征(如失效点)的微小区域。

    • 超薄切片与终减薄: 将提取的样品加工至电子束可穿透的厚度,且要求切片内损伤小、表面平整。

    • 无污染转移: 将制备好的超薄样品片(常称为“薄片"或“lamella")安全、无污染地转移到TEM样品杆上。

    • 应用场景: TEM能够提供原子级分辨率的晶体结构、缺陷和界面信息,是失效分析的工具。然而,TEM要求样品极薄(通常<100纳米),传统的机械研磨方法难以对特定微小区域(如单个晶体管、特定的界面、缺陷点)进行定位制样。

    • 技术要求:

    • 森德仪器适配性: FIB是当今制备高质量、定位精确TEM样品的标准方法。流程通常包括:使用FIB在目标区域两侧铣削出沟槽,然后用微机械手(如OmniProbe) 将初步切割的薄片提取、转移至专用TEM样品台上,最后用低束流的FIB对薄片进行终减薄清洁。在此过程中,双束系统中的高分辨率SEM用于精确导航至目标区域、监控提取过程,并评估最终薄片的质量。GeminiSEM的高成像质量对于判断减薄终点至关重要。

  3. 扫描电镜与三维表征的样品制备

    • 自动化的序列切片: 能够程序化地执行“铣削一层->成像一层"的循环。

    • 高对比度、高分辨率成像: 每层图像的质量直接影响三维重构的精度。

    • 大体积数据处理能力: 处理海量的切片图像数据。

    • 应用场景: 当需要观察材料内部结构或进行三维重构时,传统SEM只能观察表面。FIB可以通过序列切片技术,逐层铣削并成像,然后将一系列二维图像重构成三维模型。

    • 技术要求:

    • 森德仪器适配性: FIB-SEM双束系统是三维切片与重构的理想平台。离子束负责精确可控的层状铣削,电子束负责对每个新暴露的截面进行高分辨率成像。蔡司GeminiSEM 360凭借其Gemini电子光学系统,即使在FIB加工后可能存在的轻微电荷积累情况下,仍能通过NanoVP模式获得高质量、无荷电干扰的截面图像,确保三维数据的可靠性。其强大的ZEN core软件生态系统(如Atlas 3D模块)能够自动化整个切片-成像流程,并高效处理三维重建。

核心技术要点:FIB-SEM双束系统在修复与制样中的协同优势

  • 优势一:实时的“眼"与“手"协同

    • 原理: SEM作为高分辨率的“眼睛",提供实时图像;FIB作为精密的“手术刀"或“焊笔",执行加工操作。

    • 效果: 实现了“所见即所得"的纳米级操作,极大提升了修复和制样的成功率和精度。

  • 优势二:多功能气体化学辅助加工

    • 原理: 通过向样品表面喷射特定气体前驱体,在离子束或电子束的激发下发生化学反应,实现选择性材料沉积(如导电金属Pt、绝缘材料SiO₂)或增强刻蚀(如对特定材料更快去除)。

    • 效果: 扩展了FIB的应用范围,使电路修复(沉积导电材料)和复杂样品制备(沉积保护层)成为可能。

  • 优势三:从二维到三维的分析能力拓展

    • 原理: 结合FIB的切片能力和SEM的成像能力,实现对样品内部结构的逐层揭示和三维重建。

    • 效果: 将失效分析从表面观察推向全三维立体分析,能够更完整地理解缺陷的形态、分布及其与周围结构的空间关系。


附录与参考资料

相关标准

  • GB/T 38783-2020 《微纳米尺度几何特征测量 共聚焦激光扫描显微镜法》(作为相关显微测量方法参考)

  • ASTM E2809-22 《使用双束(FIB-SEM)系统进行三维显微结构表征的标准指南》

  • ISO 16700:2016 《微束分析 扫描电镜 生物样品制备指南》(部分制样原则相通)

  • SEMI MF1811 《通过扫描电子显微镜测量硅片上晶体缺陷的测试方法》(作为缺陷检测的基础)


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